核心观点
碳化硅（SiC）性能优异，成本有望持续下降。SiC半导体性能优异，其禁带宽度是硅的3倍，击穿电压是硅的8-10倍，导热率是硅的3-5倍，电子饱和漂移速率是硅的2-3倍。SiC能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，是制作高温高频、大功率高压器件的理想材料之一。6英寸SiC衬底已成主流，8英寸样品也陆续开始推出。未来随着大直径衬底占比提升、衬底和外延晶片质量提高、单晶平均可用厚度持续增加以及扩产导致规模效应增大，SiC产业链各环节成本有望持续降低，并实现对于下游领域的加速渗透。
海外头部厂商占据产业链主要份额，国内企业迎来广阔发展空间。SiC衬底及外延片领域，Wolfspeed凭借先发优势和规模优势一家独大；器件领域，欧美日企业领先，整体市占率达到95%，仅意法半导体一家就占据41%。国内企业也在积极研发和探索SiC器件的产业化，部分产业节点已有所突破。其中三安光电已形成在半导体化合物高端领域的全产业链布局；天岳先进在半绝缘SiC衬底的市场占有率连续三年保持全球前三；天科合达在国内率先成功研制6英寸SiC衬底，并已实现2-6英寸SiC晶片的规模化生产和器件销售。
新能源车、光伏等下游需求爆发，SiC迎来历史性机遇。Yole数据显示，全球SiC器件市场发展迅猛，预计2025年SiC器件市场将增长至25.6亿美元，19-25年CAGR约30%。新能源车领域：根据EVTank数据显示，新能源汽车2025年销量将达到1800万辆，19-25年CAGR为42%。随着新能源车渗透率不断升高，以及整车架构朝800V高压方向迈进，SiC器件在主逆变器、DC／DC转换系统、车载充电系统及充电桩等领域有望迎来规模化发展。据TrendForce数据显示，预估2025年全球电动车市场对6英寸SiC晶圆需求可达169万片，21-25年CAGR为94%。光伏领域：相比于硅基IGBT，SiCMOS具有更低的导通损耗、更低的开关损耗、无电流拖尾现象、高开关速度等优点，并且可以在高温等恶劣的环境中工作，有利于提高光伏逆变器使用寿命。2020年SiC光伏逆变器占比为10%，预计2035年占比将达到75%，未来空间十分广阔。轨道交通领域：与传统硅基IGBT牵引逆变器相比，全SiC牵引逆变器能耗能够降低10%以上。Yole数据显示，到2025年铁路SiC营收将从2019年的900万美元，增长到1.18亿美元，CAGR达到55%。
投资建议与投资标的
由于下游需求旺盛，我们看好SiC产业链相关企业将因此受益。建议关注国内领先的化合物半导体材料与器件全产业链布局的三安光电(600703，买入)、SiCMOCVD设备企业中微公司(688012，买入)、SiC衬底企业天岳先进(688234，未评级)、以及发展半导体IDM业务的闻泰科技(600745，买入)、华润微(688396，买入)等。
风险提示
下游需求不及预期；成本下降不及预期；技术研发进度不及预期。
