[研报PDF]汽车半导体7月专题:IGBT打通汽车能量流,缺货加速国产替代

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  核心观点

  政策与市场双驱动,6月新能源汽车销量持续走强。6月主要新能源汽车销量实现大幅增加,比亚迪、埃安、小鹏销量居前三,7家本土车厂新能源汽车月销量超万台,问界M5月销量突破7000台;在刺激消费政策支持下,根据乘联会预计,6月新能源汽车零售有望突破50万台,创历史新高。此前,5月市场迅速回暖,零部件均同环比回升:电机电控搭载量35.8万台(MoM+26.1%,YoY+71.2%),OBC装机量32.3万套(MoM+23.8%,YoY+81.8%)。相应地,5月新能源上险乘用车功率模块搭载量35.6万套,其中IGBT方案占84.0%,碳化硅MOSFET方案占3.8%,SiMOSFET方案占12.2%。

  IGBT是高压、高速、大电流应用中的主要功率半导体器件。作为复合功率半导体器件,IGBT兼具了MOSFET输入阻抗高、控制功率小、开关速度快和BJT通态电流大、通电压低、损耗小的优点;在此基础上,IGBT结构设计从沟槽到减薄再到微沟槽等方向演进,实现了电场分布、结温、短路能力等参数的不断优化:以英飞凌为例,目前已推出了7代IGBT产品。

  IGBT是汽车电能转换的关键连接器。IGBT器件在新能源汽车主逆变器、车载充电器(OBC)、升压换流器及辅助系统中被广泛应用。其中,主逆变器IGBT以模块形式为主,纯电动车需要1-2个,混动汽车需要2-3个,单价从650元到2000元不等;同时,成本较低的IGBT单管方案正在逐步渗透:以120KW电机为例,单管方案比模块方案成本降低约40%。此外,由于汽车零部件时常暴露高温、高湿、高压环境中下,要求车规级半导体可承受温度区间达-40℃-150℃(工业级:-40-105℃)且产品寿命需达15年及以上,因此车用IGBT技术难度大且封装要求高。

  2025年全球新能源汽车IGBT市场空间将增至318.8亿元以上。在大部分汽车采用的400V电压平台下,碳化硅MOSFET方案成本是硅基IGBT方案的3.5倍,IGBT是考虑性能与成本的最佳选择。因此,我们预计21-25年全球新能源汽车IGBT市场将从99.9亿元增至318.8亿元,其中IGBT单管市场将从19.1亿元增至57.3亿元,模块市场将从80.4亿元增至261.5亿元;中国新能源汽车IGBT市场将从48亿元增至156.7亿元,其中IGBT单管市场将从9.2亿元增至24.3亿元,模块市场将从38亿元增至132.4亿元。

  缺货加速国产化替代,中国IGBT厂商迎高速发展机遇。在汽车缺芯催化下,我国车用IGBT生态链日趋成熟,根据NE时代数据,22年5月我国新能源上险乘用车IGBT功率模块搭载量约29.8万套,其中比亚迪、时代电气、斯达半导及士兰微已实现大批量供货:比亚迪半导体搭载约7.2套(占24%),斯达半导搭载约6.2万套(占21%),时代电气搭载约3.9万套(占13%),士兰微搭载0.6万套(占2%),国产化渗透率近60%。未来,随着各公司产能提升,预计22年下半年至23年将迎来新能源汽车IGBT国产替代的高峰期。

  投资建议:关注新能源汽车IGBT国产化提升带来的产业发展机遇,推荐推荐关注汽车电动化环节的功率半导体代工龙头华虹半导体,斯达半导以及有较大规模自有产能释放的IDM龙头士兰微、闻泰科技等,产业链相关公司包括时代电气、BYD半导(未上市)等。

  风险提示:新能源汽车需求不及预期;IGBT渗透不及预期。

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